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IXFB62N80Q3
100
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Fig. 7. Input Admittance
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Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
25oC
50
T J = 125oC
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10
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- 40oC
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10
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30
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100
200
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
180
160
140
120
100
80
14
12
10
8
6
V DS = 400V
I D = 31A
I G = 10mA
60
40
20
0
T J = 125oC
T J = 25oC
4
2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
50
100
150
200
250
300
350
400
100,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
f = 1 MHz
R DS(on) Limit
10,000
Ciss
100
25μs
1,000
Coss
10
100μs
100
10
Crss
1
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
1ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
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1,000
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
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